TFT-LCD液晶屏的關(guān)鍵技術(shù)
TFT-LCD液晶屏的關(guān)鍵技術(shù)
TFT-LCD的關(guān)鍵技術(shù)很多，主要有以下幾個(gè)大的方面：
一是提高開(kāi)口率技術(shù)。開(kāi)口率指TFT-LCD顯示幕光透過(guò)部分和不透過(guò)部分之比，開(kāi)口率越大，亮度越高。影響開(kāi)口率的主要是柵和源匯流排寬度、TFT尺寸、上下基板對(duì)盒精度、存貯電容尺寸及黑矩陣尺寸等。為了提高開(kāi)口率，採(cǎi)取的辦法是：將黑白矩陣和彩膜都做在TFT基板上，此辦法避免了對(duì)盒精度引起的開(kāi)口率下降，但成品率不是很高，成本也會(huì)相應(yīng)加大。另外就是柵源匯流排，採(cǎi)用積體電路微加工技術(shù)。90年代TFT矩陣微加工約10μm，開(kāi)口率為35％，微加工達(dá)到5μm時(shí)，開(kāi)口率為80％。第三就是採(cǎi)用自對(duì)準(zhǔn)光刻技術(shù)。主要是消除柵極和源漏極重疊形成的寄生電容。用自對(duì)準(zhǔn)光刻技術(shù)，把柵電極作掩膜板，光刻n＋a-Si和源漏電極，以減少柵源電極之間的重疊。最後是改善柵源材料。為了增加開(kāi)口率，應(yīng)儘量將匯流排寬度取小，但要考慮由於匯流排電阻過(guò)大，輸入信號(hào)延遲，驅(qū)動(dòng)不充分，從而降低對(duì)比度的問(wèn)題。通常採(cǎi)用Cr或MoTa金屬包Al的辦法，這樣就能得到低電阻匯流排。
二是擴(kuò)大視角技術(shù)。液晶分子的各向異性，決定了液晶分子空間分佈的不同，不同的立體角光透過(guò)率不同，這是造成顯示對(duì)比度不均勻的重要原因。因此，擴(kuò)大視角是液晶顯示技術(shù)的關(guān)鍵課題之一。一般採(cǎi)取的技術(shù)措施有：補(bǔ)償膜技術(shù)。在液晶顯示幕上，貼光漫射膜和光強(qiáng)補(bǔ)償膜，使通過(guò)液晶屏的光均勻漫射，並補(bǔ)償某些角度的光強(qiáng)。另外就是採(cǎi)用多疇技術(shù)，在象元內(nèi)劃分兩個(gè)以上不同液晶分子排列區(qū)域，形成多疇液晶分子取向，從而達(dá)到擴(kuò)大視角的目的。擴(kuò)大視角技術(shù)還有IPS、ASM等方法和措施。
三是簡(jiǎn)化TFT陣列工藝。一般TFT陣列工藝刻蝕次數(shù)為7～9次，工藝流程過(guò)長(zhǎng)，影響產(chǎn)品合格率和生產(chǎn)能力。國(guó)外文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)，已有4次套刻工藝，比常規(guī)的TFT陣列工藝減少了一半。
當(dāng)然，液晶顯示器的關(guān)鍵技術(shù)不只是以上三個(gè)方面，但它們是影響TFT-LCD品質(zhì)的最關(guān)鍵技術(shù)，其他關(guān)鍵技術(shù)這裏就不一一贅述。
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