LCD液晶屏所用透明導電玻璃是指在普通玻璃的—個表面鍍有透明導電膜的玻璃。最早的透明導電膜的商品名為NESA膜，它是為制造防止飛機舷窗結凍和制造監視加熱液體內部反應情況的透明反應管而研制的，它的成分是SnO₂。但SnO₂透明導膜不易刻蝕。現在采甩的ITO(1ndiumTin Oxide氧化銦錫)的成分是In₂O₃和SnO₂，ITO膜是在In₂O₃的晶核中摻人高價Sn的陽離予，摻雜的量以Sn的含量為10％重量比最佳。ITO是一種半導體透明導電材料、禁帶寬度為3eV以上，具有兩個施主能級，為n型施主能級，離導帶很近，自由電子密度=10²⁰~10²¹個/cm³；遷移率為10—30 cm³/v.s。所以電阻率很低，可低至l0^-4Ω.cm量級。

   用Sn⁺⁴離子占據晶格中In⁺³離子的位置，會形成一個正1價電荷中心和1個多余的價電子,這個價電子掙脫了束縛便成為導電電子。

一般的玻璃材料為鈉鈣玻璃，這種玻璃襯底與ITO之間要求有1層SiO₂阻擋層，似阻擋玻璃中的鈉離子滲透。因ITO膜生產過程中，玻璃襯底處于150'℃~300℃溫度下，如果玻璃中的鈉離子擴散進入ITO膜中，形成受主能級，對施主起補償作用,引起導電性能下降。如果玻璃村底為無鈉硼硅玻璃；，則可不用SiO₂阻擋層。對于某些高檔產晶的制造，有時需在ITO外層加1層SiO₂層，這是為了增加橫向的絕緣性。

在玻璃襯底上制備透明導電膜的方法有噴霧法、涂覆法、浸漬法、真空蒸發法、濺射法等多種。目前大生產中主要用直流磁控濺射法，氣功以穩定，膜的質量好，但靶材料利用率只有25％-30％�，F在已開發出使用交流電源驅動磁場移動的方法，可使靶材料利用率增至 40％左右。

    濺射靶材過去用高純銦錫合金，其比例為Sn／(In+Sn)=8％~13％，合金熔點為173℃�，F在直接采用氧化銦錫靶鍍膜工藝，但ITO靶比銦錫合金靶貴得多，目前還是靠進口-的。